اکسید مس در دمای اتاق دارای خواص مغناطیسی و دی الکتریک است

به گزارش می&zwnj;متالز، انتظار می&zwnj;رود مدل نظری ساخته شده در این تحقیق توسعه نسل بعدی دستگاه&zwnj;های حافظه و تعدیل کننده&zwnj;های نوری را تسهیل کند.مواد چند فروئیک به طور بالقوه برای توسعه دستگاه&zwnj;های حافظه نسل بعدی و تعدیل کننده&zwnj;های نوری کارآمد قابل استفاده هستند. با این حال، از آنجایی که بیشتر این مواد فقط در دما&zwnj;های زیر ۱۰۰ کلوین کارایی دارند، دانشمندان سال&zwnj;ها تلاش کرده بودند تا خواص چند فرویکی را در دمای اتاق از خود نشان دهند، این یک نیاز برای دستگاه&zwnj;هایی است که باید در دمای محیط کار کنند.تیم تحقیقاتی یک ژنراتور با فشار بالا را توسعه دادند که اندازه گیری اسپین اتمی را در فشار بالا نیز امکان پذیر می&zwnj;کند. با استفاده از این دستگاه، این تیم از طریق آزمایش&zwnj;های پراش نوترون تأیید کردند که اکسید مس می&zwnj;تواند حالت چند فروئیک را در دمای اتاق تحت فشار بالا نشان دهد.علاوه بر این، NIMS یک روش محاسباتی جدید توسعه داد و از آن برای ساخت یک مدل نظری استفاده کرد که انتظار می&zwnj;رود توسعه مواد چند فرووئیکی در دمای اتاق را تسهیل کند. این روش محاسبه به گونه&zwnj;ای طراحی شده است که بدون نیاز به تعداد زیادی مفروضات از پیش تعیین شده مربوط به قدرت برهمکنش&zwnj;های مغناطیسی که بین یون&zwnj;های خاص مس تحت فشار بالا اتفاق می&zwnj;افتد، به طور موثر عمل کند.ترکیب اکسید مس تنها زمانی که تحت فشار بالای ۱۸.۵ گیگا پاسکال (۱۸۵۰۰۰ اتمسفر) قرار می&zwnj;گیرد، می&zwnj;تواند حالت چند فرووئیکی خود را در دمای اتاق نشان دهد. لایه&zwnj;های نازک متشکل از کریستال&zwnj;های تغییر شکل یافته شده رشد یافته مطابق با مدل نظری ممکن است به طور بالقوه قادر به نشان دادن چنین ویژگی&zwnj;هایی در فشار اتمسفر محیط باشند. منبع: سینا پرس